Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса
Алтухов, В. И., Санкин, А. В., Сигов, А. С., Сысоев, Д. К., Янукян, Э. Г., Филиппова, С. В.
Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 366-369
Алтухов_нелинейная
