Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Санкин, А. В.

Статьи. Автор - Санкин, А. В.

• Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса
  Алтухов, В. И., Санкин, А. В., Сигов, А. С., Сысоев, Д. К., Янукян, Э. Г., Филиппова, С. В.
  
  Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 366-369 Алтухов_нелинейная
• Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл-твердые растворы на основе карбида кремния
  Алтухов, В. И., Касьяненко, И. С., Санкин, А. В., Билалов, Б. А., Сигов, А. С.
  
  Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл-твердые растворы на основе карбида кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1190-1194 .- Алтухов_расчет