| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл-твердые растворы на основе карбида кремния Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Развита простая, но нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металл-полупроводник, когда барьер Шоттки формируется поверхностными дефектными состояниями, локализованными на границе раздела. Показано, что учет нелинейной зависимости уровня Ферми от концентрации дефектов ведет при низких концентрациях дефектов к повышению барьера Шоттки на 15-25%. Рассчитанные значения высоты барьера используются для анализа вольт-амперных характеристик структур n-M/p-(SiC)[1-x] (AlN)[x]. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными. |
| Ключевые слова | барьер Шоттки |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1190-1194 |
| Имя макрообъекта | Алтухов_расчет |
