| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/672830523 |
| Дата корректировки | 9:32:21 27 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алтухов, В. И. | |
|
Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл-твердые растворы на основе карбида кремния Электронный ресурс |
|
| Calculation of the Schottky barrier and the current-voltage characteristics of metal-solid solutions based on silicon carbide | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Развита простая, но нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металл-полупроводник, когда барьер Шоттки формируется поверхностными дефектными состояниями, локализованными на границе раздела. Показано, что учет нелинейной зависимости уровня Ферми от концентрации дефектов ведет при низких концентрациях дефектов к повышению барьера Шоттки на 15-25%. Рассчитанные значения высоты барьера используются для анализа вольт-амперных характеристик структур n-M/p-(SiC)[1-x] (AlN)[x]. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными. |
| Ключевые слова | барьер Шоттки |
|
карбид кремния вольт-амперные характеристики металл-твердые растворы металл-полупроводники диоды Шоттки транзисторы поверхностно-барьерные структуры светодиоды |
|
|
Касьяненко, И. С. Санкин, А. В. Билалов, Б. А. Сигов, А. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1190-1194 |
| Имя макрообъекта | Алтухов_расчет |
| Тип документа | b |
