| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686240157 |
| Дата корректировки | 14:36:24 29 сентября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2017.10.45017.8590 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Зубов, Ф. И. | |
|
Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP Электронный ресурс |
|
| High characteristic temperature of near-1 µm InAs/GaAs/InGaAsP quantum dot laser on InP substrate | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования синтезированных на подложке InP (100) лазеров с длиной волны излучения около 1.5 мкм, характеризующихся высокой температурной стабильностью. В качестве активной области лазера были использованы самоорганизованные квантовые точки InAs, покрытые тонким слоем GaAs. Волноводным/матричным слоем являлся четверной твердый раствор InGaAsP с шириной запрещенной зоны 1.15 эВ. Высокая характеристическая температура порогового тока T[0] = 205K в температурном диапазоне 20-50°C была достигнута в лазерных диодах с гребешковым волноводом. Была обнаружена взаимосвязь между значениями T[0] и шириной запрещенной зоны волноводных слоев. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
лазерные диоды подложки InP волноводные слои гребешковые волноводы |
|
|
Семенова, Е. С. Кулькова, И. В. Yvind, K. Крыжановская, Н. В. Максимов, М. В. Жуков, А. Е. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 10. - С. 1382-1386 |
| Имя макрообъекта | Зубов_высокая |
| Тип документа | b |
