Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
Зубов, Ф. И., Семенова, Е. С., Кулькова, И. В., Yvind, K., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 10. - С. 1382-1386 .-
Зубов_высокая
