Поиск

Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}

Авторы: Клочков, А. Н. Климов, Е. А. Солянкин, П. М. Конникова, М. Р. Васильевский, И. С. Виниченко, А. Н. Шкуринов, А. П. Галиев, Г. Б.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/683977640
Дата корректировки 9:47:54 3 сентября 2021 г.
10.21883/OS.2020.07.49574.17-20
Служба первич. каталог. Феллер
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.33
Клочков, А. Н.
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл., схем.
Библиография Библиогр.: 32 назв.
Аннотация Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs. Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Si. При мощности оптической накачки 19mW и напряжении смещения 30 V фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре {LT-GaAs/GaAs : Si} (111)А испускала ТГц импульсы со средней мощностью 2.3 W при частоте следования импульсов 80MHz, эффективность преобразования составила 1.2 · 10{-4}. Показано, что зависимость интегральной мощности ТГц импульсов антенны на основе {LTGaAs/GaAs : Si} (111)А структуры от приложенного напряжения является суперлинейной, а от мощности оптической накачки имеет вид кривой насыщения. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии биологических растворов.
импульсная терагерцовая спектроскопия
фотопроводящие антенны
низкотемпературный GaAs
терагерцовое излучение
сверхрешеточные структуры
Климов, Е. А.
Солянкин, П. М.
Конникова, М. Р.
Васильевский, И. С.
Виниченко, А. Н.
Шкуринов, А. П.
Галиев, Г. Б.
Оптика и спектроскопия
2020
Т. 128, вып. 7. - С. 1004-1011
Имя макрообъекта Клочков_терагерцовое
Тип документа b