| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683816420 |
| Дата корректировки | 13:00:20 1 сентября 2021 г. |
| 10.21883/OS.2020.07.49556.18-20 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований электрофизических и фотолюминесцентных характеристик, а также морфологии поверхности эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (110). Легированные кремнием эпитаксиальные слои были выращены в широком диапазоне температур роста от 410 до 680°С и при соотношении потоков мышьяка и галлия от 14 до 84. Методом атомно-силовой микроскопии определены диапазоны условий роста, при которых поверхность эпитаксиальных пленок получается наиболее гладкой. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учетом занятия ими узлов Ga или As, т. е. с учетом возникновения точечных дефектов Si[Ga] и Si[As], а также образования вакансий мышьяка и галлия V[As] и V[Ga]. |
| Пушкарёв, С. С. | |
|
GaAs (110) молекулярно-лучевая эпитаксия спектроскопия фотолюминесценции амфотерность морфология поверхности фотолюминесценция эпитаксиальные пленки |
|
|
Климов, Е. А. Зайцев, А. А. Пушкарев, С. С. Клочков, А. Н. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2020 Т. 128, вып. 7. - С. 877-884 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_исследование |
| Тип документа | b |
