| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681812093 |
| Дата корректировки | 11:38:17 9 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.12.48535.06ks | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Мизеров, А. М. | |
|
Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Обнаружен эффект инверсии полярности в слоях GaN с N-полярного слоя GaN на Ga-полярный слой GaN в процессе последовательного выращивания пленок GaN на гибридных подложках SiC/Si(111) методами методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота и методом хлорид-гидридной эпитаксии. Разработан новый метод формирования свободных от трещин Ga-полярных гетероструктур GaN/AlN на гибридных подложках SiC/Si(111). Метод включает в себя два этапа выращивания слоев GaN. На первом этапе методом МПЭ ПА на поверхности SiC/Si(111) выращивается переходный N-полярный слой GaN. На втором этапе, методом ХГЭ на полученном N-полярном слое GaN выращиваются два слоя, а именно слой AlN, а затем слой GaN, который на этом этапе вырастает Ga-полярной ориентации. Установлено, что травление в растворе KOH затрагивает только N-полярный переходный слой GaN и приводит к полному его удалению, что позволят полностью отделить основной Ga-полярный слой GaN от подложки SiC/Si(111). Метод позволяет выращивать свободные от трещин и упруго не напряженные толстые слои GaN, и переносить их на подложки других материалов. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
пленки пленочные слои нитрид галлия нитрид алюминия карбид кремния кремний молекулярно-пучковая эпитаксия плазменная активация азота хлорид-гидридная эпитаксия метод замещения атомов гибридные подложки |
|
| Другие авторы | Кукушкин, С. А. |
|
Шарофидинов, Ш. Ш. Осипов, А. В. Тимошнев, С. Н. Шубина, К. Ю. Березовская, Т. Н. Мохов, Д. В. Буравлев, А. Д. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 |
| Имя макрообъекта | Мизеров_метод |
| Тип документа | b |
