| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678274634 |
| Дата корректировки | 9:44:15 29 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.43995.8246 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Болотов, В. В. | |
|
Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах ”пористый кремний-на-изоляторе“ Электронный ресурс |
|
| Formation and properties of the buried isolating silicon oxide layer in the double-layered structures ”porous silicon-on-insulator“ | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре ”макропористый кремний-мезопористый кремний“. Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов ”шипов“, возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя E[br] ~ 10{4} -10{5} В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур ”пористый кремний-на-изоляторе“ в интегрированных химических микро- и наносенсорах. |
| Пономарёва, И. В. | |
| Ключевые слова | двуокись кремния |
|
кремний двухслойные структуры пористый кремний-на-изоляторе электронная микроскопия эллипсометрия захороненные диэлектрики наносенсоры |
|
|
Князев, Е. В. Пономарева, И. В. Кан, В. Е. Давлеткильдеев, Н. А. Ивлев, К. Е. Росликов, В. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 51-55 |
|
| Имя макрообъекта | Болотов_формирование |
| Тип документа | b |
