Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах ”пористый кремний-на-изоляторе“ - Статьи - Базы данных - БГТУ

Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах ”пористый кремний-на-изоляторе“

Авторы: Болотов, В. В. Пономарёва, И. В. Князев, Е. В. Пономарева, И. В. Кан, В. Е. Давлеткильдеев, Н. А. Ивлев, К. Е. Росликов, В. Е.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах ”пористый кремний-на-изоляторе“ Электронный ресурс
Аннотация	Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре ”макропористый кремний-мезопористый кремний“. Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов ”шипов“, возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя E[br] ~ 10{4} -10{5} В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур ”пористый кремний-на-изоляторе“ в интегрированных химических микро- и наносенсорах.
Ключевые слова	двуокись кремния
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 51-55
Имя макрообъекта	Болотов_формирование