| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677866108 |
| Дата корректировки | 16:12:30 24 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.12.50242.9501a | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Привезенцев, В. В. | |
|
Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре Электронный ресурс |
|
| Structure, Content and Properties of Zn and O Ion Hot Implanted Silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Подложки Si, выращенные методом Чохральского (n-тип, ориентация (100)), были подвергнуты двойной имплантации: вначале ионами {64}Zn{+} с дозой 5 · 10{16} см{-2} и энергией 50кэВ, а затем ионами {16}O{+} с дозой 2 · 10{17} см?2 и энергией 20 кэВ. Во время имплантации температура подложки поддерживалась ~ 350°C. После имплантации Si-подложка содержит радиационные дефекты и их кластеры: двойники, дислокации, а также нанокластыры (НК), а, именно, на поверхности и в приповерхностном слое подложки образовались Zn-содержащие НК со средним радиусом 10-50 нм преимущественно из фазы металлического Zn и частично из фазы ZnO. После фотонного отжига до эффективной температуры 700°С, оптимальной для получения фазы ZnO, радиационные дефекты отожглись, а на поверхности образца зафиксированы Zn-содержащие НК, предположительно, состоящие из фазы ZnO и частично из фазы Zn2SiO[4] со средним диаметром 50-100 нм. |
| Киселёв, Д. А. | |
|
кремниевая подложка цинк оксид цинка кислород горячая имплантация наночастицы кремний полупроводники |
|
|
Сергеев, А. П. Куликаускас, В. С. Киселев, Д. А. Трифонов, А. Ю. Терещенко, А. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 12. - С. 1376-1382 |
| Имя макрообъекта | Привезенцев_структура |
| Тип документа | b |
