| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676466165 |
| Дата корректировки | 11:24:20 8 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.09.49841.35 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тарасова, Е. А. | |
|
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~ 100нм Электронный ресурс |
|
| The compensation of nonlinearity drain-gate I.V characteristics in field effect transistors with a gate length ~ 100 nanometers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Выполнен анализ нелинейности сток-затворных вольт-амперных характеристик в классических транзисторах Шоттки и транзисторах с двумерным электронным газом на основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs. Проведен анализ влияния эффекта всплеска скорости носителей заряда в канале транзистора для различных профилей легирования исследуемых структур. |
|
затворы Шоттки полевые транзисторы сток-затворные вольт-амперные характеристики узкозонные полупроводники полупроводники гетероструктуры |
|
|
Оболенский, С. В. Хазанова, C. В. Григорьева, Н. Н. Голиков, О. Л. Иванов, А. Б. Пузанов, А. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 9. - С. 968-973 |
| Имя макрообъекта | Тарасова_компенсация |
| Тип документа | b |
