| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676379646 |
| Дата корректировки | 11:18:59 7 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.08.49633.10 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Юрасов, Д. В. | |
|
Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов Электронный ресурс |
|
| Enhancement of self-assembled Ge(Si) quantum dots photoluminescence response driven by the interaction with 2D photonic crystal modes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 36 назв. |
| Аннотация | Приводятся результаты исследований люминесцентных свойств двумерных фотонных кристаллов, сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). Показаны возможности значительного роста интенсивности люминесцентного отклика активной среды (наноостровков Ge(Si)) в диапазоне длин волн 1.2-1.6 мкм в таких структурах. Изучены особенности люминесцентного отклика фотонного кристалла вблизи Г-точки их зоны Бриллюэна. Показано, что наряду с широкополосным откликом, характерным для излучательных мод фотонного кристалла, в таких структурах возможно также наблюдение высокодобротных резонансов с добротностью, превышающей 10{3}. Последние наблюдаются в выделенном диапазоне параметров решетки ФК. |
| Ключевые слова | люминесценция |
|
наноостровки фотонные кристаллы моды фотонных кристаллов кремний |
|
|
Новиков, А. В. Дьяков, С. А. Степихова, М. В. Яблонский, А. Н. Сергеев, С. М. Уткин, Д. Е. Красильник, З. Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 822-829 |
|
| Имя макрообъекта | Юрасов_рост |
| Тип документа | b |
