| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676114419 |
| Дата корректировки | 9:51:26 4 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.07.49511.9379 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Юрасов, Д. В. | |
|
Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии Электронный ресурс |
|
| Impact of growth conditions and doping level on luminescence kinetics of Ge : Sb layers formed on silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Методами стационарной и время-разрешенной спектроскопии фотолюминесценции выполнены исследования излучательных свойств слоев Ge с различным уровнем легирования Sb, выращенных на подложках Si(001). Показано, что максимум интенсивности стационарной фотолюминесценции слоев n-Ge/Si при комнатной температуре наблюдается при концентрации Sb, близкой к уровню ее равновесной растворимости в Ge (~ 10{19} см{-3}), что согласуется с ранее полученными результатами. Исследование кинетики фотолюминесценции, связанной с прямыми излучательными переходами в Ge, показало, что влияние на нее оказывает не только концентрация введенных доноров, но и условия формирования слоев n-Ge, в частности температура их осаждения. Обнаружено, что повышение концентрации Sb приводит к снижению времени жизни носителей заряда. Выявлено, что использование низких температур роста, которые необходимы для достижения высоких уровней легирования слоев Ge, также приводит к значительному уменьшению времени жизни носителей заряда по сравнению со слоями Ge, полученными при высоких температурах. Найдены условия кратковременного термического отжига выращенных структур, при которых возможна частичная компенсация упомянутых негативных эффектов, что выражается в повышении интенсивности фотолюминесценции и увеличении времени жизни носителей заряда. |
| Ключевые слова | кремний |
|
германий легирование спектроскопия фотолюминесценции фотолюминесценция рекомбинация время жизни носителей заряда полупроводники |
|
|
Байдакова, Н. А. Яблонский, А. Н. Новиков, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 7. - С. 685-690 |
|
| Имя макрообъекта | Юрасов_влияние |
| Тип документа | b |
