| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675429127 |
| Дата корректировки | 11:26:58 27 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Яблонский, А. Н. | |
|
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами Электронный ресурс |
|
| Radiative recombination and tunneling of charge carriers in heterostructures SiGe/Si with double quantum wells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | В эпитаксиальных структурах SiGe/Si(001) с двумя неэквивалентными SiGe квантовыми ямами, разделенными тонким Si-барьером, исследованы спектральные и временные характеристики межзонной фотолюминесценции, соответствующей излучательной рекомбинации экситонов в квантовых ямах. Для серии структур с двумя SiGe-квантовыми ямами различной толщины определены зависимости характерного времени туннелирования носителей заряда (дырок) из узкой квантовой ямы, характеризуемой большей энергией рекомбинации экситона, в широкую квантовую яму от толщины Si-барьера. Показано, что время туннелирования дырок между слоями Si[0.85]Ge[0.15] толщиной 3 и 9 нм монотонно спадает от ~ 500 нс до < 5нс при уменьшении толщины Si-барьера от 16 до 8 нм. При промежуточных толщинах Si-барьера обнаружено нарастание сигнала фотолюминесценции широкой квантовой ямы с характерным временем, совпадающим по порядку величины с временем спада люминесценции узкой квантовой ямы, что подтверждает наблюдение эффекта туннелирования дырок из узкой квантовой ямы в широкую. Обнаружена существенная зависимость времени туннелирования дырок от содержания Ge в слоях SiGe при фиксированной толщине Si-барьера между квантовыми ямами, что связывается с увеличением эффективной высоты Si-барьера. |
| Ключевые слова | излучательная рекомбинация |
|
туннелирование носителей заряда гетероструктуры экситоны квантово-каскадные лазеры квантовые ямы фотолюминесценция кремний-германиевые гетероструктуры |
|
|
Жукавин, Р. Х. Бекин, Н. А. Новиков, А. В. Юрасов, Д. В. Шалеев, М. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1629-1633 |
| Имя макрообъекта | Яблонский_излучательная |
| Тип документа | b |
