| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675272030 |
| Дата корректировки | 15:51:01 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Яблонский, А. Н. | |
| Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) | |
| Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику. |
| Алёшкин, В. Я. | |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
двойные квантовые ямы стимулированное излучение кремниевая оптоэлектроника прямозонные полупроводники арсенид алюминия-галлия арсенид галлия антимонид арсенид галлия арсенид галлия |
|
|
Морозов, С. В. Гапонова, Д. М. Алешкин, В. Я. Шенгуров, В. Г. Звонков, Б. Н. Вихрова, О. В. Байдусь, Н. В. Красильник, З. Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458 |
|
| Имя макрообъекта | Яблонский_стимулированное |
| Тип документа | b |
