| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675268610 |
| Дата корректировки | 14:47:28 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Цырлин, Г. Э. | |
|
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния Электронный ресурс |
|
| Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа "вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл", выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений А{III}В{V} и кремния. |
| Буравлёв, А. Д. | |
| Ключевые слова | гибридные нитевидные нанокристаллы |
|
нитевидные нанокристаллы молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковые наноматериалы квантовые точки арсенид алюминия-галлия арсенид галлия арсенид алюминия-галлия кремний полупроводники |
|
|
Штром, И. В. Резник, Р. Р. Самсоненко, Ю. Б. Хребтов, А. И. Буравлев, А. Д. Сошников, И. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1441-1444 |
| Имя макрообъекта | Цырлин_гибридные |
| Тип документа | b |
