| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/673352130 |
| Дата корректировки | 10:26:26 3 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Веселов, Д. А. | |
|
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP Электронный ресурс |
|
| On the internal optical loss and current leakage in AlGaInAs/InP laser heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Исследованы полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что увеличение только ширины запрещенной зоны AlGaInAs-волноводов без дополнительных барьеров приводит к росту токовых утечек в эмиттерные слои. Установлено, что введение дополнительных барьерных слоев на границе волновод-эмиттер блокирует токовые утечки в эмиттер, но ведет к росту внутренних оптических потерь с ростом тока накачки. Экспериментально продемонстрировано, что введение блокирующих слоев позволяет достичь максимальных значений внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения (92%) и оптической мощности (3.2 Вт) в непрерывном режиме генерации в полупроводниковых лазерах для безопасного для глаз диапазона длин волн (1400-1600 нм). |
| Ключевые слова | лазерные гетероструктуры |
|
твердые растворы внутренние оптические потери токовые утечки полупроводниковые лазеры МОС-гидридная эпитаксия волноводы |
|
|
Шашкин, И. С. Бахвалов, К. В. Лютецкий, А. В. Пихтин, Н. А. Растегаева, М. Г. Слипченко, С. О. Бечвай, Е. А. Стрелец, В. А. Шамахов, В. В. Тарасов, И. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1247-1252 |
| Имя макрообъекта | Веселов_к вопросу |
| Тип документа | b |
