Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/671880395 |
Дата корректировки | 9:36:54 16 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Карабешкин, К. В. | |
Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si Электронный ресурс |
|
Influence of collision cascade density increase on efficiency of primary displacement generation during ion bombardment of Si | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
Аннотация | Распределения по глубине структурных нарушений, создаваемых в процессе имплантации в кремний ионов P и PF[4] с энергиями от 0.6 до 3.2 кэВ/а.е.м., экспериментально получены в широком диапазоне доз при комнатной температуре. Установлено, что внедрение молекулярных ионов PF[4] во всех случаях приводит к формированию практически одномодальных профилей распределения дефектов, максимум которых примыкает к поверхности. Это явление связано с усилением эффективности генерации первичных смещений у поверхности мишени. В начальной части пробега молекулярных ионов имеет место перекрытие субкаскадов, генерируемых атомами - компонентами молекул, приводящее к нелинейным процессам в объединенных каскадах из-за высокой плотности в них атомных смещений. На основании анализа экспериментальных данных проведена количественная оценка усиления эффективности генерации первичных дефектов на каскадной стадии их формирования ионами PF[4] по сравнению с ионами P. |
Служебное примечание | Карасёв, П. А. |
Ключевые слова | плотность каскадов столкновений |
ускоренные ионы кремний бинарность столкновений ионов каскады смещений полупроводники |
|
Карасев, П. А. Титов, А. И. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 8. - С. 1009-1015 |
Имя макрообъекта | Карабешкин_влияние |
Тип документа | b |