| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671543566 |
| Дата корректировки | 13:25:45 12 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Николаев, В. И. |
|
Хлоридная эпитаксия слоев бета-Ga[2]O[3] на сапфировых подложках базисной ориентации Электронный ресурс |
|
| Chloride epitaxy of beta-Ga[2]O[3] layers grown on c-sapphire substrate | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Методом хлоридной эпитаксии получены эпитаксиальные слои бета-Ga[2]O[3] на сапфире с использованием в качестве источника кислорода воздуха. Слои были исследованы с помощью методов рентгеновской дифракции, оптической, растровой электронной и просвечивающей электронной микроскопии, микрорамановской спектроскопии. Установлено, что слои ориентированы плоскостью (201) параллельно поверхности подложки и в них имеются отдельные крупные кристаллические зерна трех ориентаций, отличающихся друг от друга поворотом на 60° в данной плоскости, что, вероятно, обусловлено различием в симметрии слоев и подложки. |
| Ключевые слова | хлоридная эпитаксия |
|
оксид галлия широкозонные полупроводники полупроводники сапфировые подложки |
|
| Другие авторы | Печников, А. И. |
|
Степанов, С. И. Шарофидинов, Ш. Ш. Головатенко, А. А. Никитина, И. П. Смирнов, А. Н. Бугров, В. Е. Романов, А. Е. Брунков, П. Н. Кириленко, Д. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 997-1000 |
|
| Имя макрообъекта | Николаев_хлоридная |
| Тип документа | b |
