| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671541413 |
| Дата корректировки | 11:30:43 12 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Минтаиров, М. А. | |
|
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель Электронный ресурс |
|
| Current spreading in solar cells: two-parameter tube model | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Явление растекания является существенным для концентраторных солнечных элементов, так как лимитирует эффективность (кпд) при больших кратностях концентрирования солнечного излучения. Предложена и разработана модель, описывающая закономерности растекания тока под контактной сеткой солнечного элемента. Модель использует стилизованное представление о линиях тока и соответственно о трубках тока: она содержит два резистивных параметра, учитывающих переменную латеральную (горизонтальную) и постоянную вертикальную составляющие сопротивления каждой трубки. В модели учтено, что толщина области растекания значительно меньше расстояния между полосками контактной сетки, поэтому значительный вклад в результирующие сопротивления дают латеральные участки трубок. Получены расчeтные вольт- амперные характеристики солнечного элемента в резистивном и безрезистивном случаях. Вольт-амперная характеристика сопротивления растекания, полученная вольтовым вычитанием этих характеристик, является нелинейной и зависит от фотогенерированного тока. Таким образом, электрическая эквивалентная схема солнечного элемента содержит сосредоточенное нелинейное сопротивление, параметрически зависящее от фотогенерированного тока. Сделано сопоставление экспериментальных и расчeтных ВАХ на примере Ge, GaAs и GaInP солнечных элементов и определены оба резистивных параметра модели. Модель правильно описывает закономерности растекания в однопереходных солнечных элементах и может быть расширена на многопереходные солнечные элементы. |
| Ключевые слова | двухпараметрическая трубковая модель |
|
растекание тока солнечное излучение вольтамперная характеристика сопротивление растекания германий арсенид галлия фосфид галлия-индия полупроводники |
|
|
Евстропов, В. В. Минтаиров, С. А. Тимошина, Н. Х. Шварц, М. З. Калюжный, Н. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 7. - С. 987-992 |
| Имя макрообъекта | Минтаиров_растекание |
| Тип документа | b |
