Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/670677659 |
Дата корректировки | 11:37:47 2 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Автор | Алешкин, В. Я. |
Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке Электронный ресурс |
|
Stimulated emission from a GaAsSb bulk metamorphic layer on GaAs substrate | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
Аннотация | Исследованы структурные и оптические свойства метаморфного объемного слоя GaAsSb, выращенного на GaAs-подложке. При достижении величины плотности мощности возбуждения (длина волны 0.65 мкм) 9кВт/см{2} при температуре жидкого азота и 230 кВт/см{2} при комнатной температуре наблюдалась суперлюминесценция на длинах волн 0.943 и 0.992 мкм соответственно. |
Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
арсенид галлия сурьма триметил сурьмы суперлюминесценция МОС-гидридная эпитаксия рентгеновская дифрактометрия фотолюминесценция полупроводники |
|
Другие авторы | Дубинов, А. А. |
Кудрявцев, К. Е. Юнин, П. А. Дроздов, М. Н. Вихрова, О. В. Некоркин, С. М. Звонков, Б. Н. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 |
Имя макрообъекта | Алешкин_стимулированное |
Тип документа | b |