| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670506583 |
| Дата корректировки | 13:17:44 31 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Югов, А. А. | |
|
Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN Электронный ресурс |
|
| Influence of Ti nanolayer thickness on the process of thick GaN epilayers self-lift-off | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Показано влияние типа подложки - сапфир (c- и r-ориентации) или темплейт GaN/Al[2]O[3] (c- и r-ориентации) - на процесс нитридизации аморфного нанослоя титана. Обнаружено влияние толщины нанослоя титана на процесс самоотделения толстого слоя GaN от подложки. Толщина нанослоя титана, при котором воспроизводимо происходит самоотделение толстого слоя GaN от подложки, находится в пределах 20.40 нм. |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
|
титан эпитаксиальные слои нитридизациия эпитаксия полупроводниковые приборы |
|
|
Малахов, С. С. Донсков, А. А. Духновский, М. П. Князев, С. Н. Козлова, Ю. П. Югова, Т. Г. Белогорохов, И. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 415-419 |
| Имя макрообъекта | Югов_влияние |
| Тип документа | b |
