| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Показано влияние типа подложки - сапфир (c- и r-ориентации) или темплейт GaN/Al[2]O[3] (c- и r-ориентации) - на процесс нитридизации аморфного нанослоя титана. Обнаружено влияние толщины нанослоя титана на процесс самоотделения толстого слоя GaN от подложки. Толщина нанослоя титана, при котором воспроизводимо происходит самоотделение толстого слоя GaN от подложки, находится в пределах 20.40 нм. |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 415-419 |
| Имя макрообъекта | Югов_влияние |
