Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN
Югов, А. А., Малахов, С. С., Донсков, А. А., Духновский, М. П., Князев, С. Н., Козлова, Ю. П., Югова, Т. Г., Белогорохов, И. А.
Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 415-419 .-
Югов_влияние
