| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669829593 |
| Дата корректировки | 16:02:52 23 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.385.2 |
| Автор | Соболев, Н. А. |
|
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами Электронный ресурс |
|
| Electroluminescent properties of light-emitting diodes based on p-Si irradiated with electrons | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Исследована электролюминесценция в светодиодных структурах n{+}-p-p{+} на основе Si, облученного электронами и отожженного при высокой температуре. Светодиоды изготовлены путем газофазного осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором с высокой концентрацией. Трансформация спектров электролюминесценции в зависимости от тока в светодиодах хорошо описывается шестью гауссовыми кривыми. Положения максимумов этих кривых не зависят от тока и равны 1233, 1308, 1363, 1425, 1479, 1520 нм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности электролюминесценции и полуширины линий от тока. |
| Ключевые слова | светодиоды |
|
электролюминесценция дислокационная люминесценция поликристаллический кремний кремний оптоэлектроника гуссовыме кривые |
|
| Другие авторы | Штельмах, К. Ф. |
|
Калядин, А. Е. Аруев, П. Н. Забродский, В. В. Шек, Е. И. Yang, D. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 254-258 |
| Имя макрообъекта | Соболев_электролюминесцентные |
| Тип документа | b |
