| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/541592618 |
| Дата корректировки | 10:23:38 28 февраля 2017 г. |
| Служба первич. каталог. | Боровик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 544.23 |
| Егоров, К. В. | |
|
Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти Текст |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Служебное примечание | Кузьмичёв, Д. С. |
|
атомно-слоевое осаждение оксид тантала управляемый дефицит кислорода резистивная память |
|
|
Кузьмичев, Д. С. Лебединский, Ю. Ю. Маркеев, А. М. |
|
|
Журнал прикладной химии 2016 Т. 89, Вып. 11. - С. 1459-1464 |
|
| Тип документа | b |
