Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Егоров, К. В.

Статьи. Автор - Егоров, К. В.

• Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти
  Егоров, К. В., Кузьмичёв, Д. С., Кузьмичев, Д. С., Лебединский, Ю. Ю., Маркеев, А. М.
  
  Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти, [Текст] ил. Журнал прикладной химии, 2016, Т. 89, Вып. 11. - С. 1459-1464