Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти
Поиск

Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти

Авторы: Егоров, К. В. Кузьмичёв, Д. С. Кузьмичев, Д. С. Лебединский, Ю. Ю. Маркеев, А. М.
Подробная информация
Индекс УДК 544.23
Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти
Текст
Журнал прикладной химии
2016
Т. 89, Вып. 11. - С. 1459-1464