-
Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти
Егоров, К. В., Кузьмичёв, Д. С., Кузьмичев, Д. С., Лебединский, Ю. Ю., Маркеев, А. М.
Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти, [Текст]
ил.
Журнал прикладной химии, 2016, Т. 89, Вып. 11. - С. 1459-1464
-
Формирование субмонослойных ториевых покрытий на поверхности оксида кремния методом электрохимического осаждения
Борисюк, П. В., Васильев, О. С., Логинов, В. Б., Лебединский, Ю. Ю., Троян, В. И.
Формирование субмонослойных ториевых покрытий на поверхности оксида кремния методом электрохимического осаждения, [Текст]
Коллоидный журнал, 2014, Т. 76, № 5. - С. 560-567
-
Двумерный и винтовой рост пленок MoS[2] в процессе химического осаждения из газовой фазы
Романов, Р. И., Мякота, Д. И., Чуприк, А. А., Новиков, С. М., Лебединский, Ю. Ю., Черникова, А. Г., Маркеев, А. М.
Двумерный и винтовой рост пленок MoS[2] в процессе химического осаждения из газовой фазы, [[Текст]], Р. И. Романов [и др.]
// Журнал прикладной химии .-
2019 .-
Т. 92, вып. 5. - С. 560-566 .-
-
Зонная структура субмонослойных ториевых покрытий на поверхности оксида кремния
Борисюк, П. В., Васильев, О. С., Красавин, А. В., Лебединский, Ю. Ю., Троян, В. И.
Зонная структура субмонослойных ториевых покрытий на поверхности оксида кремния, [Текст]
ил.
Коллоидный журнал, 2014, Т. 76, № 6. - С. 691-697
