-
Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300K
Мынбаев, К. Д. , Баженов, Н. Л., Семакова, А. А., Михайлова, М. П., Стоянов, Н. Д., Кижаев, С. С., Молчанов, С. С., Черняев, А. В., Lipsanen, H. , Бугров, В. Е.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 2. - С. 247-252 .-
Мынбаев_электролюминесценция
-
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
Трухин, В. Н., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Мустафин, И. А., Цырлин, Г. Э., Kakko, J. P., Lipsanen, H.
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 23-27
Трухин_сверхбыстрая
-
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
Трухин, В. Н., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Мустафин, И. А., Цырлин, Г. Э., Курицын, Д. И., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Kakko, J. P., Lipsanen, H.
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1587-1591 .-
Трухин_резонансный
-
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
Штром, И. В., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Perros, A., Lipsanen, H.
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646
Штром_пассивация
