-
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира
Дроздов, Ю. Н., Хрыкин, О. И., Юнин, П. А.
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1380-1383
Дроздов_проверка
-
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Данильцев, В. М., Краёв, С. А., Демидов, Е. В., Дроздов, М. Н., Дроздов, Ю. Н., Краев, С. А., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И., Юнин, П. А.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 .-
Данильцев_сильно
-
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .-
Лобанов_эпитаксиальные
-
Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
Юнин, П. А., Дроздов, Ю. Н., Чернов, В. В., Исаев, В. А., Богданов, С. А., Мучников, А. Б.
Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1647-1651
Юнин_формирование
-
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Юнин, П. А.
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1657-1661 .-
Новиков_влияние
