Индекс УДК | 621.315.592 |
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира Электронный ресурс |
|
Аннотация | Методом рентгеновской дифрактометрии исследована деформация эпитаксиального слоя (0001)GaN на a-срезе (11-20) сапфира. По литературным данным о коэффициентах температурного расширения нитрида галлия и сапфира вычислена анизотропная деформация слоя. Сравнение вычисленной и экспериментальной деформации подтверждает гипотезу о термоупругом характере деформации GaN на a-срезе сапфира. Этот результат позволяет, в частности, проводить теоретические оценки упругой деформации и пьезополя в псевдоморфных гетероструктурах, использующих слои GaN на a-срезе сапфира в качестве виртуальной подложки или буферного слоя. |
Ключевые слова | рентгеновская дифрактометрия |
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1380-1383 |
|
Имя макрообъекта | Дроздов_проверка |