| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690301890 |
| Дата корректировки | 14:36:29 15 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46602.24 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Дроздов, Ю. Н. | |
|
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира Электронный ресурс |
|
| Verification of the hypothesis of thermoelastic nature of deformation of (0001) GaN layer grown on a-plane sapphire | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Методом рентгеновской дифрактометрии исследована деформация эпитаксиального слоя (0001)GaN на a-срезе (11-20) сапфира. По литературным данным о коэффициентах температурного расширения нитрида галлия и сапфира вычислена анизотропная деформация слоя. Сравнение вычисленной и экспериментальной деформации подтверждает гипотезу о термоупругом характере деформации GaN на a-срезе сапфира. Этот результат позволяет, в частности, проводить теоретические оценки упругой деформации и пьезополя в псевдоморфных гетероструктурах, использующих слои GaN на a-срезе сапфира в качестве виртуальной подложки или буферного слоя. |
| Ключевые слова | рентгеновская дифрактометрия |
|
эпитаксиальные слои GaN нитрид галлия сапфир анизотропная деформация гетероструктуры гексагональные нитриды |
|
|
Хрыкин, О. И. Юнин, П. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1380-1383 |
|
| Имя макрообъекта | Дроздов_проверка |
| Тип документа | b |
