-
Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP выращенного на подложке GaSb
Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP выращенного на подложке GaSb, [Текст]
ил
Неорганические материалы, 2017, № 1. з- С.33-40
-
Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
Пащенко, А. С., Чеботарёв, С. Н., Лунин, Л. С., Чеботарев, С. Н., Лунина, М. Л.
Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 581-585
Пащенко_исследование
-
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 9. - С. 1695-1700 .-
Алфимова_выращивание
-
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
Пащенко, А. С., Чеботарёв, С. Н., Чеботарев, С. Н., Лунин, Л. С., Ирха, В. А.
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 4. - С. 553-556
Пащенко_особенности
-
Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb
Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
Влияние висмута на параметры твердого раствора GaInSbAsP, выращенного на подложке GaSb, [[Текст]], Д. Л. Алфимова [и др.]
7 рис., 2 табл.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 1. - С. 33-40 .-
-
Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs
Алфимова, Д. Л., Лунин, Л. С., Лунина, М. Л., Казакова, А. Е., Пащенко, А. С., Чеботарев, С. Н.
Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, [[Текст]], Д. Л. Алфимова [и др.]
6 рис., 6 табл.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 12. - С. 1245-1256 .-
-
Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов
Лунин, Л. С., Чеботарев, С. Н., Пащенко, А. С., Болобанова, Л. Н.
Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов, [Текст]
ил
Неорганические материалы, 2012, Т.48, № 5.- С.517-522
