-
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120)
Юнин, П. А., Дроздов, Ю. Н., Хрыкин, О. И., Григорьев, В. А.
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120) , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1300-1303
Юнин_исследовани
-
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном
Охапкин, А. И., Королев, C. А., Королёв, C. А., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Хрыкин, О. И., Шашкин, В. И.
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном , [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506
Охапкин_низкотемпературное
-
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира
Дроздов, Ю. Н., Хрыкин, О. И., Юнин, П. А.
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1380-1383
Дроздов_проверка
-
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .-
Лобанов_эпитаксиальные
