| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные свойства гетероэпитаксиальных слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках a-среза (1120) сапфира. Обнаружена анизотропия ширины кривых качания симметричного (0004) и асимметричных {1124} и {1015} отражений нитрида галлия при вращении образца в своей плоскости. Сравнение анизотропии ширины кривых качания для слоев (0001)GaN/(1120)Al[2]O[3] с двумя различными вариантами ориентационных соотношений в плоскости позволило сделать заключение о независимости характера анизотропии структурных свойств от термоупругих напряжений, возникающих при остывании гетеросистемы. |
| Ключевые слова | анизотропия |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1300-1303 |
|
| Имя макрообъекта | Юнин_исследовани |
