| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690542350 |
| Дата корректировки | 9:26:38 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46587.09 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Юнин, П. А. | |
|
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные свойства гетероэпитаксиальных слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках a-среза (1120) сапфира. Обнаружена анизотропия ширины кривых качания симметричного (0004) и асимметричных {1124} и {1015} отражений нитрида галлия при вращении образца в своей плоскости. Сравнение анизотропии ширины кривых качания для слоев (0001)GaN/(1120)Al[2]O[3] с двумя различными вариантами ориентационных соотношений в плоскости позволило сделать заключение о независимости характера анизотропии структурных свойств от термоупругих напряжений, возникающих при остывании гетеросистемы. |
| Ключевые слова | анизотропия |
|
нитрид галлия гетероэпитаксии сапфир нитриды третьей группы |
|
|
Дроздов, Ю. Н. Хрыкин, О. И. Григорьев, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1300-1303 |
|
| Имя макрообъекта | Юнин_исследовани |
| Тип документа | b |
