-
Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема
Стовпяга, Е. Ю., Еуров, Д. А., Курдюков, Д. А., Смирнов, А. Н., Яговкина, М. А., Григорьев, В. Ю., Романов, В. В., Yakovlev, D. R., Голубев, В. Г.
Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 8. - С. 1598-1603 .-
Стовпяга_синтез
-
Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица-Косевича с переменной эффективной массой носителей
Романов, В. В., Кожевников, В. А., Машков, В. А., Баграев, Н. Т.
Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица-Косевича с переменной эффективной массой носителей, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1331-1335
Романов_описание
-
Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co[3]O[4] и NiCo[2]O[4] матричным методом
Курдюков, Д. А., Певцов, А. Б., Смирнов, А. Н., Яговкина, М. А., Григорьев, В. Ю., Романов, В. В., Баграев, Н. Т., Голубев, В. Г.
Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co[3]O[4] и NiCo[2]O[4] матричным методом, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 6. - С. 1176-1181 .-
Курдюков_получение
-
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Моисеев, К. Д., Романов, В. В., Кудрявцев, Ю. А.
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 .-
Моисеев_особенности
-
Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
Романов, В. В., Дементьев, П. А., Моисеев, К. Д.
Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 927-931
Романов_влияние
-
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеев, К. Д.
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y = 0.09.0.16) для спектрального диапазона 4.6 мю m, полученные методом МОГФЭ, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 .-
Романов_узкозонные
-
Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеев, К. Д.
Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 11. - С. 1822-1827 .-
Романов_формирование
-
Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Моисеевa, К. Д.
Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 3. - С. 585-590 .-
Романов_перестройка
-
Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6-5.3 мкм
Романов, В. В., Иванов, Э. В., Пивоварова, А. А., Моисеев, К. Д., Яковлев, Ю. П.
Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6-5.3 мкм, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 202-206
Романов_длинноволновые
