-
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Sledziewski, T., Решанов, С. А., Schoner, A., Krieger, M.
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 1. - С. 103-105 .-
Михайлов_особенности
-
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора
Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Решанов, С. А., Schoner, A.
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 839-842 .-
Михайлов_метод
-
Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Решанов, С. А., Schoner, A.
Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 79-84
Михайлов_силовой
