Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
Поиск

Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором

Авторы: Михайлов, А. И. Афанасьев, А. В. Ильин, В. А. Лучинин, В. В. Sledziewski, T. Решанов, С. А. Schoner, A. Krieger, M.
Подробная информация
Индекс УДК 621.382
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
Электронный ресурс
Ключевые слова карбид кремния
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 1. - С. 103-105
Имя макрообъекта Михайлов_особенности