| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669312569 |
| Дата корректировки | 17:13:18 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.382 |
| Михайлов, А. И. | |
|
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором Электронный ресурс |
|
| Phosphorus implantation as method of interface traps passivation at 4H-SiC/SiO[2] interface thermally grown in dry oxygen ambient | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 4 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4H-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода на надежностные характеристики подзатворного диэлектрика. Установлено, что наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к незначительному снижению поля диэлектрического пробоя и уменьшению высоты энергетического барьера между карбидом кремния и диэлектриком, связанными с присутствием атомов фосфора на 4H-SiC/SiO[2] интерфейсе и в объеме диоксида кремния. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
фосфор МДП-структуры диоксид кремния имплантации ионов диэлектрики кремниевые биполярные транзисторы вольт-амперные измерения |
|
|
Афанасьев, А. В. Ильин, В. А. Лучинин, В. В. Sledziewski, T. Решанов, С. А. Schoner, A. Krieger, M. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 1. - С. 103-105 |
| Имя макрообъекта | Михайлов_особенности |
| Тип документа | b |
