Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Sledziewski, T., Решанов, С. А., Schoner, A., Krieger, M.
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO[2]/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 1. - С. 103-105 .-
Михайлов_особенности
