| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Предложен новый метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого транзистора на карбиде кремния политипа 4H при помощи окисления двухслойной системы, состоящей из тонкого слоя нитрида кремния и диоксида кремния. Наряду с увеличением подвижности носителей заряда в канале транзистора наблюдается снижение среднего значения поля пробоя по сравнению с подзатворным диэлектриком, выращенным в атмосфере N[2]O. |
| Ключевые слова | полевые транзисторы |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 6. - С. 839-842 |
| Имя макрообъекта | Михайлов_метод |
