| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671125022 |
| Дата корректировки | 15:44:54 7 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Михайлов, А. И. | |
|
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора Электронный ресурс |
|
| Method for electron mobility enhancement in 4H-SiC MOSFET channel | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Предложен новый метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого транзистора на карбиде кремния политипа 4H при помощи окисления двухслойной системы, состоящей из тонкого слоя нитрида кремния и диоксида кремния. Наряду с увеличением подвижности носителей заряда в канале транзистора наблюдается снижение среднего значения поля пробоя по сравнению с подзатворным диэлектриком, выращенным в атмосфере N[2]O. |
| Ключевые слова | полевые транзисторы |
|
карбид кремния нитрид кремния диоксид кремния подзатворные диэлектрики полупроводники |
|
|
Афанасьев, А. В. Ильин, В. А. Лучинин, В. В. Решанов, С. А. Schoner, A. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 6. - С. 839-842 |
| Имя макрообъекта | Михайлов_метод |
| Тип документа | b |
