Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Влияние условий синтеза на физико-химические свойства нанопорошков и керамических образцов ортофосфатов РЗЭ
  Мезенцева, Л. П., Кручинина, И. Ю., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Попова, В. Ф., Лапёнок, А. Ю.
  
  Влияние условий синтеза на физико-химические свойства нанопорошков и керамических образцов ортофосфатов РЗЭ, [Текст] ил Физика и химия стекла, 2015, Т.41, № 6. - С.903-907
• Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
  Антипов, В. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 2. - С. 385-388 .- Антипов_эпитаксиальный рост пленок
• Пути политипных превращений в карбиде кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Пути политипных превращений в карбиде кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 8. - С. 1443-1447 .- Кукушкин_пути
• Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4°
  Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М. Н., Осипов, А. В., Сеньковский, Б. В.
  
  Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4° , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 10. - С. 1348-1352 Бенеманская_спектроскопия
• Керамические композиты на основе ортофосфата лантана и оксида алюминия: получение и свойства
  Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Кручинина, И. Ю., Иванова, П. И., Хамова, Т. В., Любимцев, А. С.
  
  Керамические композиты на основе ортофосфата лантана и оксида алюминия: получение и свойства, Л. П. Мезенцева, А. В. Осипов, В. Л. Уголков [и др.] ил. // Физика и химия стекла .- 2022 .- Т. 48, № 3. - С. 307-324 .-
• Физико-химические свойства наноразмерных порошков системы LаPO[4]-DyPO[4]-H[2]O
  Мезенцева, Л. П., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Попова, В. Ф., Масленникова, Т. П., Кучаева, С. К., Яковлев, А. В.
  
  Физико-химические свойства наноразмерных порошков системы LаPO[4]-DyPO[4]-H[2]O, [[Текст]], Мезенцева Л. П. [и др.] ил. // Физика и химия стекла .- 2018 .- Т. 44, № 5. - С. 486-493 .-
• Формирование нанокристаллов Bi[1-x]CaxFeO[3-дельта] в условиях глицин-нитратного горения
  Ломанова, Н. А., Томкович, М. В., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Данилович, Д. П., Панчук, В. В., Семенов, В. Г., Гусаров, В. В.
  
  Формирование нанокристаллов Bi[1-x]CaxFeO[3-дельта] в условиях глицин-нитратного горения, [[Текст]], Н. А. Ломанова [и др.] // Журнал общей химии .- 2019 .- Т. 89, № 9. - С. 1448-1456 .-
• Получение нанокристаллических керамических материалов на основе перовскитоподобных оксидов Bі[1-x]Sr[x]FeO[3-дельта]
  Ломанова, Н. А., Осипов, А. В., Уголков, В. Л.
  
  Получение нанокристаллических керамических материалов на основе перовскитоподобных оксидов Bі[1-x]Sr[x]FeO[3-дельта], [[Текст]], Н. А. Ломанова, А. В. Осипов, В. Л. Уголков ил. // Новые огнеупоры .- 2019 .- № 10. - С. 33-37 .-
• Синтез нанокристаллических материалов на основе системы Bi[2]O[3]-TiO[2]
  Ломанова, Н. А., Томкович, М. В., Осипов, А. В., Уголков, В. Л.
  
  Синтез нанокристаллических материалов на основе системы Bi[2]O[3]-TiO[2], [[Текст]], Н. А. Ломанова [и др.] // Журнал общей химии .- 2019 .- Т. 89, № 10. - С. 1587-1594 .-
• Магнитные свойства нанокристаллов Bi[1-x]Ca[x]FeO[3-дельта]
  Ломанова, Н. А., Томкович, М. В., Осипов, А. В., Панчук, В. В., Семенов, В. Г., Плешаков, И. В., Волков, М. П., Гусаров, В. В.
  
  Магнитные свойства нанокристаллов Bi[1-x]Ca[x]FeO[3-дельта], [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2503-2509 .- Ломанова_магнитные
• Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
  Калинкин, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 656-663 Калинкин_влияние
• Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
  Антипов, В. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Рубец, В. П.
  
  Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 3. - С. 499-504 .- Антипов_эпитаксиальный рост
• Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 422-425 .- Кукушкин_микроскопическое
• Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
  Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Котляр, К. П., Лихачев, А. И., Нащекин, А. В., Сошников, И. П.
  
  Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 .- Редьков_эволюция