-
Оценка ремонтопригодности лопаток газоперекачивающих агрегатов
Смыслов, А. М., Быбин, А. А., Невьянцева, Р. Р., Новиков, А. В., Дементьев, А. В.
Оценка ремонтопригодности лопаток газоперекачивающих агрегатов, [Текст]
ил., табл.
Теплоэнергетика, 2011, № 2. - С. 30-35
-
Совмещение электрофизических и термомеханических процессов для восстановления и упрочнения поверхностей деталей
Хейфец, М. Л., Грецкий, Н. Л., Семенов, С. В., Новиков, А. В.
Совмещение электрофизических и термомеханических процессов для восстановления и упрочнения поверхностей деталей, [Текст]
ил.
Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. В, Промышленность. Прикладные науки, 2011, № 3. - С. 63-68
-
Влияние почвенно-климатических условий на износ шин
Томкунас, Ю. И., Новиков, А. В., Помазанский, А. О.
Влияние почвенно-климатических условий на износ шин, [Текст]
табл.
Агропанорама, 2013, № 3. - С. 2-5
-
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .-
Лобанов_эпитаксиальные
-
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
Шмагин, В. Б., Вдовичев, С. Н., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Шенгуров, Д. В., Красильник, З.Ф.
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1497-1500
Шмагин_электролюминесценция
-
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
Яблонский, А. Н. , Жукавин, Р. Х., Бекин, Н. А., Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Шалеев, М. В.
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1629-1633 .-
Яблонский_излучательная
-
Ликвидация объектов накопленного экологического ущерба в прибрежной арктической зоне на основе методов ESG-финансирования
Потравный, И. М., Новиков, А. В., Чавез Феррейра, К. Й.
Ликвидация объектов накопленного экологического ущерба в прибрежной арктической зоне на основе методов ESG-финансирования, И. М. Потравный, А. В. Новиков, К. Й. Чавез Феррейра
рис.
// ЭКиП: Экология и промышленность России .-
2022 .-
Т. 26, № 10. - С. 60-65 .-
-
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Юнин, П. А.
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1657-1661 .-
Новиков_влияние
-
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
Смагина, Ж. В., Новиков, А. В., Степихова, М. В., Зиновьев, В. А., Родякина, Е. Е., Сергеев, С. М., Перетокин, А. В., Шалеев, М. В., Гусев, С. А., Двуреченский, А. В.
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 8. - С. 708-715 .-
Смагина_люминесценция
-
Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
Юрасов, Д. В., Новиков, А. В., Дьяков, С. А., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Сергеев, С. М., Уткин, Д. Е., Красильник, З. Ф.
Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 822-829
Юрасов_рост
