Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа
  Левинштейн, М. Е., Мнацаканов, T. T., Юрков, С. Н., Тандоев, А. Г., Sei-Hyung Ryu, Palm, J. W.
  
  Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып.3. - С. 408-414 .- Левинштейн_высоковольтный
• Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC
  Юрков, С. Н., Мнацаканов, T. T., Левинштейн, М. Е., Тандоев, А. Г., Palmour, J. W.
  
  Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 234-239 Юрков_анализ
• Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки
  Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Q. J., Palmour, J. W.
  
  Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 668-673 .- Левинштейн_высоковольтный
• Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
  Мнацаканов, Т. Т., Тандоев, А. Г., Левинштейн, М. Е., Юрков, С. Н., Palmour, J. W.
  
  Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1125-1130 Мнацаканов_вольт
• Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
  Юферев, В. С., Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Jon Q., Palmour, John W.
  
  Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1243-1248 Юферев_переходной
• О пределе инжектирующей способности кремниевых p{+}-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
  Мнацаканов, Т. Т., Левинштейн, М. Е., Шуман, В. Б., Середин, Б. М.
  
  О пределе инжектирующей способности кремниевых p{+}-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 830-834 Мнацаканов_о пределе