| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проанализирована возможность создания высоковольтного тиристора на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа. Показано, что тиристорная структура, созданная как "аналог" современной тиристорной структуры с блокирующей базой p-типа, т. е. с сохранением толщин слоев структуры и заменой типа легирования слоев, не может быть включена ни при каком уровне входного сигнала. При комнатной температуре структура с приемлемыми параметрами при использовании блокирующей базы n-типа может быть реализована только при отсутствии стоп-слоя. В этом случае, однако, блокируемое структурой максимальное напряжение будет приблизительно в 2 раза ниже, чем напряжение, блокируемое тиристором с блокирующей базой p-типа с той же толщиной блокирующей базы. При наличии стоп-слоя при комнатной температуре на прямой вольт-амперной характеристике тиристора с блокирующей n-базой возникает участок S-образного дифференциального сопротивления, обусловленный нарушением и последующим восстановлением нейтральности. При температуре окружающей среды >= 150°C вольт- амперные характеристики тиристора с блокирующей n-базой становятся вполне удовлетворительными и при наличии стоп-слоя. |
| Ключевые слова | тиристоры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып.3. - С. 408-414 |
| Имя макрообъекта | Левинштейн_высоковольтный |
